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具有高密度缺陷位点的银纳米线的合成
发布时间:2019-12-09 14:07:43发布者:Admin新闻种类:前沿动态

结构缺陷位点会使纳米材料具备很多超常的性能,这对于很多技术和基础研究而言都是很大的挑战。尤其是在催化领域,结构缺陷能够显著地增强金属纳米晶体的催化活性。 近来,西安交通大学的金明尚和加州大学Yadong Yin等人提出了一种高效合成具有高密度缺陷位点纳米材料的方法,即使用具有一维孔道结构的分子筛SBA-15做为模板剂吸收银离子,然后再将银离子还原成银,而说的到的银纳米线表面便具有高密的的缺陷位点。利用此种银纳米线做为催化剂催化硅烷转化,测试得到的转化频率是目前所有银催化剂中最高的。此项工作为合成具备高缺陷密度的金属催化剂提供了新方法。

通过实验验证,不仅证明了催化剂中缺陷位点在催化过程中的重要作用,而且提供了一种合成高缺陷密度的金属催化剂的方法。同样,该方法也可以扩展到其他金属和双金属催化剂的合成中,因此可以看出其在催化方面的巨大潜力和应用前景。

图1 含有高密度缺陷位点的银纳米线的合成

图2 银纳米线的TEM和HRTEM图像

图3 银纳米线结构与催化活性之间的关系

图4 缺陷活性位选择性吸附二甲基苯基硅烷及其红外表征

来源:Chaoqi Wang† Zhaorui Zhang† Guang Yang‡ Qiang Chen*† Yadong Yin§ Mingshang Jin*†. Creation of Controllable High-Density Defects in Silver Nanowires for Enhanced Catalytic Property, nano letters, 2016, 16: 5669

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